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      半導體在攝像頭干擾器中的作用

          半導體是許多電子系統的積極構建模塊,半導體的持續發展推動了RF /微波商業市場的近期增長,特別是在5G蜂窩通信網絡和無線攝像頭干擾器連接的車輛中。高度集成使得諸如收發器的完整子系統能夠包含在單個集成電路(IC)內。同時,為了增強傳輸信號,氮化鎵(GaN)工藝為高頻下更高和更高的功率水平開辟了道路。
       
          許多射頻/微波行業領先的半導體供應商正在2019年6月2日至7日舉行的即將舉行的2019年IEEE國際微波研討會(IMS)及其在波士頓會展中心的公司展覽會上聚會。這對于射頻/微波行業以及來自相鄰行業的感興趣的參觀者,如醫療,通信和交通電子系統供應商,了解高頻電子設備的最新技術,同時從一個展位走到另一個展位。
       
          Anokiwave(第223號展位)將成為現有的半導體創新者之一,表明硅尚未消亡,尚未被更昂貴的III-V半導體工藝取代,如GaN或砷化鎵(GaAs)。該公司的代表將展示其用于5G,衛星通信和雷達應用的IC的硅(Si)CMOS工藝的集合。
       
          盡管這些IC中的一些是熟悉的有源組件(例如,放大器),但是許多IC是使用有源電路(例如有源天線)制造得更小的監控屏蔽器組件。例如,型號AWMF-0142是一種有源天線陣列IC,適用于24.25至27.50 GHz的5G相控陣應用。它包含四個發射/接收天線元件,具有5-b相位控制和5-b增益控制,可執行波束控制操作。
       
       
          半雙工天線在發射模式下提供23 dB增益和+10 dBm輸出功率,在接收模式下提供26 dB增益和5 dB噪聲系數。創新的IC包括溫度和溫度報告的增益補償。它采用+ 1.8 V直流電,采用6×6 mm QFN封裝。該IC由AWA-0142 5G開發人員套件提供支持。
       
          Polyfet RF器件(224號展位)的Si和VDMOS和LDMOS功率晶體管的功率水平也可以達到600 W到3 GHz,而且還可以顯示它可以用GaN做什么,顯示其中的幾個器件和評估板GaN-on-SiC功率晶體管。例如,其型號GX4002是GaN-on-SiC功率晶體管,適用于1 MHz至3 GHz的應用。它由+28 V dc驅動,提供70 W線性輸出功率,55%的漏極效率和11 dB的增益。
       
          對于那些具有更高電壓電源的產品,型號GX4442是一種功率晶體管,也采用GaN-on-SiC工藝制造,但適用于+ 48V直流電源。它可用于1 MHz至2.5 GHz的電路,輸出功率為160 W,增益至少為12 dB,典型的漏極效率為55%。兩款功率晶體管均采用符合RoHS標準的散熱增強型金屬法蘭封裝。
       
          對于尋求更高集成度的2019年IMS展覽參觀者來說,其中一個半導體開發人員負責毫米波頻率,并且長期以來一直熟悉監控攝像頭屏蔽器電子產品,是德州儀器(1272號展位)。該公司將展示其用于短途5G mmWave鏈路的IC的樣品,用于自動駕駛汽車,甚至用于針對智能建筑和智能城市的越來越多的物聯網(IoT)應用。
       
       
          自動駕駛車輛將嚴重依賴前視,后視和側視雷達,以安全地通過交通和停車位,以及AWR1243頻率調制連續波(FMCW)收發器IC等設備。 1)將提供76至81 GHz的mmWave頻率的通信,用于未來車輛及其許多雷達系統所需的大量短程通信。該IC包含一個鎖相環(PLL),接收器和發送器,具有四個接收通道和三個發送通道,可實現全覆蓋。
       
          這款緊湊型FMCW收發器IC工作頻率為76至81 GHz,支持77 GHz汽車雷達。 (德州儀器公司提供)如果這對于10.4×10.4毫米倒裝芯片BGA封裝內的單個芯片來說還不夠集成,該公司還有望在同一頻率范圍內展示其用于汽車雷達應用的AWR1843單芯片收發器。它被打包到同一個包中。還包括Arm處理器,數字信號處理器(DSP),大容量存儲器和一系列監控功能。對于“智能高速公路”設計師,恩智浦半導體(第548號展臺)將在波士頓展示其眾多高度集成的設備,例如用于IEEE 802.11 Wi-Fi無線連接的TEF5100車型到萬能(V2X)雙射頻收發器。 IC縮小了int的水平
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