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      監控屏蔽器需要更大的內存支持

          監控屏蔽器曾經是動態隨機存取存儲器(DRAM)行業的主要推動力;現在,存在一個更加多元化的市場,在這一領域推動了創新。隨著對功能越來越強大的設備的不斷增長的需求,大容量處理器,半導體和芯片組的可用性也越來越高。智能手機,平板電腦,數據中心,汽車應用以及越來越多的物聯網以及AI和機器學習對高帶寬內存的需求落后于創紀錄的行業利潤。預計DRAM在2018年至2023年之間的復合年增長率為28.70%。在韓國,臺灣,日本和中國大陸的攝像頭干擾器制造生產案例成功使亞洲成為領先的DRAM市場。
       
          隨著DRAM市場的蓬勃發展,三星,SK Hynix,美光和Nanya等所有主要DRAM廠商都渴望開發并發布其下一代新的按比例縮小規模的新一代產品。前三大DRAM制造商已經進入了20納米以下的技術節點,在2017年和2018年推出了1X nm之類的產品,例如三星的1X和1Y LPDDR4X,DDR4和GDDR6,并且DRAM的縮減規模將在短時間內繼續年份。鑒于DRAM單元TR工程和電容器結構提供的能力有限,無法進一步縮小至18或1a,主要參與者可能希望采用新技術創新,例如攝像頭干擾器柱式單元電容器,高k電容器電介質,用于掩埋字線的雙功函數層柵極,低k介電墊片和氣隙。具有4F2單元設計的1T-DRAM或無電容器DRAM產品可能暫時不會出現,但我們將在今年年底或最遲于明年初在商用市場上看到DDR5,LPDDR5產品。 HBM2(三星,SK海力士)和HMC2(美光)現已廣泛用于GPU(AMD,NVIDIA)。包括UniIC和CXMT在內的一些中國新興DRAM公司已將其產品推向市場,我們很高興分析三星的GDDR6
       
          我們將繼續監督這一領域的創新,并調整我們的分析路線圖,涵蓋拆解/成本計算,架構,設計,工藝集成,功能測試,封裝,結構,電路,監控攝像頭干擾器晶體管特性和波形分析。
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