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      攝像頭屏蔽器單晶控制方式

          MABr/PbBr2的摩爾比會影響攝像頭干擾器晶體的各向異性,從而導致多面體MAPbBr3晶體的出現,如圖所示。2(b)和(c)[39]。Wei等人還發現,MABr與PbBr2的摩爾比為1:1時,由于前驅體在DMF中的溶解度不同,導致晶體表面出現缺陷[41]。通過使用1.0:0.8比例的MABr和PbBr2成功地解決了這個問題,獲得了高質量的大尺寸監控屏蔽器單晶,如圖2(d)[41]所示。
       
          厚度控制方法:隨著鈣鈦礦型單晶制備方法的發展,控制攝像頭屏蔽器鈣鈦礦型單晶的厚度已成為一個挑戰,因為單晶的厚度對器件的應用有著重要的影響。單晶的厚度控制方法主要有空化觸發非對稱結晶(CTAC)策略[42]、簡易溶液法[43]、[44]、垂直Bridgman技術[45]、空間限制逆溫結晶(SLITC)、配體輔助沉淀法等[43]、[46]。CTAC方法是由Bakr的小組開發的,該小組將超聲波脈沖引入MAPbBr3單晶的生長過程,如圖2(e)[42]所示。單晶的體積大、表面分布不均勻是阻礙進一步研究的主要原因,這是由于其較高的成核能壘造成的。通過超聲脈沖,在低過飽和度水平上促進了表面的形核,增加了壓力和能量積累,這是空化過程的結果。強烈的剪切力將厚度控制在一定范圍內。前驅體濃度對單晶片的厚度也有影響。
       
          通過SLITC方法制備的單晶薄膜在光伏和光電監控干擾器領域有很好的應用前景(圖2(f)[47])。然而,厚度控制是實際應用中的一個主要挑戰,在實際應用中,厚度需要從納米調整到微米。對于SLITC,將兩個被夾持的襯底的一半浸入鈣鈦礦前驅體溶液中,通過毛細管力使溶液進入間隙。這種增長原理與ITC方法相似。晶圓的厚度可以通過與溶液接觸的兩個夾緊基板的距離來控制。單晶片的實現為商業化器件的應用提供了可行性。最近,Gupta等人報道了另一種在室溫下通過反溶劑輔助ITC方法控制MAPbI3單晶生長和厚度的合成方法。對各種生長參數的理解,如前體成分和溫度,以及對反溶劑量和溶液摩爾濃度的仔細控制,有助于在室溫甚至更高溫度(140℃)下控制晶體生長[48]。
       
          簡易溶液法[43]的制備路線是先在0℃下制備一維針狀晶體MA[PbBr3]∙DMF,然后將中間產物加熱至室溫,在此過程中DMF將部分MA[PbBr3]溶解形成MAPbBr3前體溶液,而作為種子的一維晶體最終會逐漸生長成二維納米板或納米線。為了使攝像頭干擾器晶片在襯底上均勻生長,可以對襯底進行等離子體處理,減小與溶液的接觸角,使單晶易于在襯底表面成核。
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