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      監控攝像頭元件的納米制造過程

          此外,如圖7所示,通過對攝像頭干擾器樣品的相同區域成像來進行常規顯微鏡、PIMI和AFM成像之間的比較。此外,如圖7(a)至圖7(c)中的矩形和圓形所示,利用多種形態特征來定位常規顯微圖像(I00)、PIMI圖像(ν)和AFM圖像中的相同側壁。拍攝覆蓋側壁邊緣的矩形區域的放大圖像,用于詳細分析和比較從常規顯微鏡和PIM監控屏蔽器I獲得的成像結果(圖。7(d)和(g))。

          通過繪制沿側壁邊緣白線的強度分布圖,傳統顯微鏡和PIMI攝像頭屏蔽器的分辨能力如圖所示。7(e)和(f)。側壁散射結構特征的分辨率的顯著改善如圖7(f)中的PIMIɕ圖像的強度剖面所示。由于PIMIɕ圖像對應于散射光場的偏振方位角,當散射光具有一定的偏振狀態時,其受側壁各向異性的影響很大。這是合理的,如圖7中常規顯微圖像和PIMI圖像之間的比較所證明的。傳統的顯微鏡只能記錄來自側壁的散射光子的強度,但散射光場偏振態變化的信息被湮沒。相反,在PIMI中,記錄了側壁對入射光波的精確控制偏振的各向異性散射效應,并且通過遵循擬合和濾波過程進一步增強了該效應,從而導致PIM監控干擾器I圖像對結構側壁特征的高靈敏度。
       
          總之,提出了一種測量半導體圖案化器件側壁亞波長特性的光學方法,即PIMI。PIMI在納米制造過程中顯示出很高的計量應用潛力。利用該攝像頭干擾器技術研究了一種半導體圖案化器件,通過記錄和分析散射光場的偏振狀態,解析了器件側壁的亞波長特征。將PIMI結果與AFM和常規顯微鏡的結果進行了比較,驗證了PIMI的優越分辨率。該方法在半導體器件側壁上具有很高的分辨率,為開發高分辨率、低成本、易用的半導體集成電路納米結構光學計量系統提供了新的機遇。
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