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      是否可以通過高密度金屬層干擾攝像頭

          彼得森(Peterson)的U-M小組通過使用另一種類型的半導體(非晶態金屬氧化物)成功地將第二層晶體管堆疊在同一芯片上。為了在不造成攝像頭干擾器損壞的情況下將該半導體層施加到硅上,芯片上覆蓋了鋅和錫溶液,將其旋轉以形成均勻的保護層。
       
          之后,將芯片進行短暫烘烤以使其干燥。然后重復該過程以產生約75納米厚的氧化鋅錫層。在第三次也是最后一次烘烤中,當監控屏蔽器金屬層與空氣中的氧氣結合時,形成了該層。該團隊使用氧化鋅錫層制造薄膜晶體管,該薄膜晶體管可以承受比其下的硅更高的電壓。為了使氧化鋅錫晶體管與下面的硅通信,該團隊使用氧化鋅錫添加了兩個電路元件:一個垂直薄膜二極管和一個肖特基柵極晶體管。連接這兩種類型的鋅錫氧化物晶體管,以形成一個逆變器,該逆變器可在硅使用的低電壓和其他攝像頭屏蔽器組件使用的高電壓之間進行轉換。
       
          硅集成芯片技術的這一重大進步具有解決晶體管密度問題和革新晶體管以及工程師用來構建復雜監控干擾器元件的方法的潛力。
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