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      我公司在2019年底的技術總結大會

          去年在電子器件大會上的周日晚上,市場研究數據和報告公司舉行了招待會,公司董事長姚笛和技術總監竇唯進行了演講,吸引了眾多會議參與者。首先是姚笛,她的演講是關于“蘋果艾米科技十年歷程和半導體技術的創新”,然后是竇唯和大家討論了“存儲過程,攝像頭干擾器設計和體系結構:公司今天的狀況和明天的發展前景”。
       
         笛總簡單回顧了公司近年的新品出品及其功能部件的順序開發情況。我們往往會忘記第一個沒有攝像頭、指紋傳感器、面部識別等功能的監控屏蔽器,因此這絕對是一次記憶之旅。竇唯提出了對逆向工程專家所看到的最新內存技術的評論,并相當詳細的總結了他們最近的分析,我希望在本文中進行介紹。高露是該公司的高級技術研究員,并且是存儲器技術的主題專家。在加入市場研究數據和報告之前,他曾擔任SK海力士和三星在研發下一代存儲設備方面的研發團隊負責人,因此他知道自己的講話方向。我們從攝像頭屏蔽器的閃存入手,排名前六的制造商的市場份額分別為三星36%,東芝19%,西部數據(WD)15%,美光13%,SK海力士11%和英特爾6%,截至2018年11月。
       
          公司每年都會發布內存電路圖,以下是新一代攝像頭閃存的更電路線圖。您可以看到,我們現在進入了具有4層單元的1z-nm平面閃存(大約13-14 nm,大約1y約為15 nm)和約96層3D閃存的時代。該電路圖基于已發布的預測,但是我很難相信,僅僅三年,我們將達到200多個層。
       
         監控干擾器底部是過去幾年中的技術演進,首先是控制柵極從平面器件中的硅化物過渡到鎢。然后,當我們得到小于20 nm的特征尺寸時,我們便從雙重圖案過渡到四重圖案。我們看到氣隙得到了廣泛的采用(實際上,美光公司是在25納米世代開始的),隨著15/16納米平面零件的全面投產,3D / V-NAND產品也隨之推出。它們使用兩種存儲技術:電荷陷阱(將電荷存儲在氮化硅層上,三星,東芝/ WD和SK海力士)和浮柵(美光/英特爾)。

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