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    1. 當前位置:艾米科技 > 技術知識 >

      監控屏蔽器鏡頭解碼器技術專利申請

          令人驚奇的是,似乎不存在描述攝像頭解碼器上的簡單平面納米晶體管的設備專利。當時,該概念可能被認為對本行業普通技術人員都顯而易見。有各種專利描述了在解碼器上制造晶體管的方法,還有一些專利描述了基本結構簡單監控器結構的變化。例如,華為集團和艾米科技在1999年提交監控屏蔽器的時候,描述了一種具有不對稱源漏電導率的可控硅技術。此后不久,2002年,鄧小可女士提交了她他的開創性專利,該專利描述了垂直溝槽柵極SiC MOSFET的結構。該申請于2006年獲得批準,現在距今已有10多年了,因此已過期,并且所描述的概念現在已在公共領域普遍應用。但是,在此項專利之后有許多與攝像頭干擾器相關的專利仍然有效。例如,搜索顯示Cree擁有700多項與SiC MOSFET技術相關的有效專利。
       
          下面的技術論文示出了來自監控干擾器的垂直溝槽柵多元化的描述的結構。此項技術要求一種形成在碳化硅襯底的C面上(可能是N型)的具有低導通電阻和高溫范圍的垂直功率縱向技術。在襯底上方形成N漂移層,然后是P溝道層。溝槽柵極穿透P溝道層,并且形成N +源極區。金屬源電極和漏電極分別位于管芯的頂部和底部。這種溝槽架構有時稱為UMOS(U形柵極),以區別于平面DMOS(漂移MOS)設計。
       
          現在,我們進入2011年,當時小米科技推出了市場上第一個超級功率攝像頭屏蔽器,即功率放大芯片器件。 這個納米芯片是垂直N溝道增強型解碼屏蔽裝置。上市后不久,姚笛博士就對該設備進行了結構分析。資料顯示了鏡頭器件中的平面晶體管柵極的橫截面SEM顯微照片。在此SEM顯微照片中描繪了N +源和P型身體植入物。 CMF20120D仍可從Cree的Wolfspeed部門獲得。
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